美光推出 176 层 3D NAND

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IT之家 11 月 10 日消息 全球顶级半导体峰会之一的 Flash Memory 峰会将于 2020 年 11 月 10 日在美国加州圣克拉拉会议中心举行。而在 11 月 9 日晚，美光宣告了自己最新的第五代 3D NAND 闪存技术，该技术具有 176 层存储单元堆叠。▲ 图源官方新的 176 层闪存是美光与英特尔分手以来所研发的第二代产品，上一代 3D NAND 则是 128 层设计，算是美光的过渡节点。而目前在三星的存储技术大幅度领先之下，美光 128 层 3D NAND 并没有特别高。此外，虽然升级到了 176 层，但仍落后于三星。美光方面并未公布太多关于该技术的信息。176 层 NAND 支持的接口速度为 1600MT / s，高于其 96 层和 128 层闪存的 1200MT / s。与 96L NAND 相比，读（写）延迟提高了 35% 以上，与 128L NAND 相比，提高了 25% 以