光刻技术进化，ASML 探索 Hyper-NA EUV：2030 推进至 0.7nm 工艺

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IT之家 2 月 17 日消息，缩小晶体管尺寸对于持续提升芯片性能至关重要，半导体行业从未停止探索缩小晶体管尺寸的方法。ASML 首席技术官 Martin van den Brink 在 2022 年 9 月接受采访时表示，光刻技术经过数十年的创新发展之后，High-NA EUV 可能走到了该技术的尽头。ASML 经过 1 年多的探索，有种“船到桥头自然直，柳暗花明又一村”的突破，Brink 在《2023 年度报告》中提出了 Hyper-NA EUV 概念，有望 2030 年问世。IT之家翻译 Brink 在《报告》中内容如下：NA 高于 0.7 的 Hyper-NA 无疑是新机遇，将成为 2030 年之后的新愿景。Hyper-NA 和逻辑电路息息相关，成本比 High-NA EUV 双重曝光（Double Patterning）更低，也为 DRAM 带来新机遇。而对于 ASML 来说，Hyper-NA 可以推动我们的整体 EU