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芯片竞争加剧:三星砸千亿在美建厂,死磕台积电

2021-01-25 16:56:35来源: IT之家

1 月 25 日消息,据华尔街日报报道,三星将投资 170 亿美元(折合约 1101 亿人民币)在美建芯片代工厂,其地址可能位于美国亚利桑那州、德克萨斯州或者纽约。这一举措可能与台积电之前在美国亚利桑那州投资建设新厂有关。据称,三星为了追赶在先进制程工艺上领先的台积电,将跳过 4nm 工艺,直接建设可量产 3nm 芯片的晶圆厂。知情人士分析,这可能是三星第一家在美国使用 EUV(极紫外辐射)光刻机的晶圆代工厂。一、砸 170 亿美元,在美建 3nm 厂据相关文件和熟悉韩国三星电子计划的人士透露,该公司正考虑投资至多 170 亿美元,在美国亚利桑那州、德克萨斯州或纽约建设一家晶圆代工厂,预计 2023 年投入使用。据报道,三星去年十月就在美国德州奥斯汀购买了十万平方米的土地,并且在十二月开始申请将土地用途变更为工业开发用地。目前三星在奥斯汀的晶圆代工厂主要生产基于 14nm、28nm 以及 32nm 工艺的芯片,工艺较为落后。而且

标签: 三星 芯片
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