新竹2024年3月15日 /美通社/ -- 全球客制化存储芯片解决方案设计公司爱普科技今日宣布,新一代硅电容(S-SiCap™, Stack Silicon Capacitor) Gen3已通过客户验证,此产品具备超高电容密度及超薄(<100um薄度)等优势,可在先进封装制程中与系统单芯片(SoC)进行弹性客制化整合,满足客户在高端手机及高性能计算(HPC)芯片的应用需求。 爱普科技的S-SiCap™使用先进的堆栈式电容技术(Stack Capacitor)开发,相比传统深沟式电容技术(Deep Trench Capacitor)的电容密度更高、体积更小更薄,且具有极佳的温度与电压稳定性。S-SiCap™ Gen3的电容值密度可达2.5uF/mm2,操作电压最高可支持1.2V,同时具有相当低的等效串联电感(Equivalent Series Inductance)及等效串联电阻(Equivalent Serie
爱普高电容密度硅电容S-SiCap™ Gen3通过客户验证
2024-03-15 14:00:00来源: 美通社
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