ASML 高数值孔径 High NA EUV 光刻机实现“初次曝光”，助英特尔开启工艺进化

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IT之家 2 月 28 日消息，英特尔技术开发负责人 Ann Kelleher 在周二于圣何塞举行的 SPIE 光刻会议上提到他们已经在 ASML 新型高数值孔径 (High NA) EUV 光刻机上实现了“初次曝光”里程碑，而 ASML 也进行了证实，并表示接下来将继续测试和调整该系统，使其能够发挥其全部性能。那么问题来了，“初次曝光”是什么意思呢？“初次曝光”即是指光刻系统首次成功将光线图案投射到晶圆上。这标志着该光刻系统已经完成了基本功能验证，可以开始进行进一步的测试。该进展有何重要意义？高数值孔径 EUV 光刻系统被认为是下一代芯片制造的关键技术之一。它能够在更小的芯片上蚀刻更精细的电路，从而使芯片能够变得更加强大和节能。ASML 成功实现“初次曝光”意味着该公司的这项关键技术取得了重大进展。这将有利于加速下一代芯片的研发进程。ASML 本月初展示了其下一代高数值孔径极紫外 (EUV) 光刻机，还透露其 High-NA