IT之家 12 月 19 日消息,SamMobile 消息称,ASML 将于未来几个月内推出用于 2nm 制程节点的芯片制造设备,将数值孔径(NA)光学性能从 0.33 提高到 0.55,而三星计划在 2025 年底开始生产 2nm 芯片。据称,ASML 明年规划产能仅有 10 台,而英特尔已经预订了其中 6 台,不过 ASML 计划在未来几年内将此设备产能提高到每年 20 台。目前,ASML 官网列出的 EUV 光刻机仅有两款 ——NXE:3600D 和 NXE:3400C,均配备 0.33 NA 的反射式投影光学器件及 13.5nm EUV 光源,分别适用于 3/5nm 和 5/7nm 芯片制造。▲ NXE:3600D ASML 发言人曾透露,EXE:5200 是 ASML 下一代高 NA 系统,具有更高的光刻分辨率,可将芯片缩小 1.7 分之一,同时密度增加至 2.9 倍。▲&nbs
消息称 ASML 明年推出用于 2nm 芯片制造的高 NA 光刻机,英特尔已采购 6 台
2023-12-19 18:09:01来源: IT之家
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