英特尔最新技术展示：通过将 3D 堆叠 CMOS 晶体管与背面供电和背面接触相结合首次在 60nm 栅距下实现 CFET

IT之家 12 月 10 日消息，由于当下摩尔定律放缓，堆叠晶体管概念重获关注，IMEC （比利时微电子研究中心）于 2018 年提出了堆叠互补晶体管的微缩版 CFET 技术（IT之家注：即垂直堆叠互补场效应晶体管技术，业界认为 CFET 将取代全栅极 GAA 晶体管技术），英特尔和台积电也都进行了跟进。在今年的 IEEE 国际电子器件会议（IEDM 2023）上，英特尔展示了多项技术突破，并强调了摩尔定律的延续和演变。首先，英特尔展示了其中 3D 堆叠 CMOS（互补金属氧化物半导体）晶体管方面取得的突破。简单来说，研究人员通过将 3D 堆叠 CMOS 晶体管与背面供电和背面接触相结合，实现了业界首次在缩小至 60 nm 的栅极间距下的 CFET。▲ 英特尔示意图此外，该公司还报告了最近在背面供电技术方面的研发突破的扩展路径，如背面接触（backside contacts），并且首次演示