消息称长江存储第二座工厂年底投产，追赶三星和美光

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据日经新闻报道，知情人士称，我国存储芯片厂商“长江存储”在武汉的第二座工厂最早将于今年年底投产。此举有望进一步缩小长江存储与三星和美光在技术和产量方面的差距。在经历了突飞猛进的增长后，长江存储急需扩大产能，以在全球半导体市场进一步赢得份额。两名知情人士称，长江存储当前的工厂一直在接近满负荷运转，2021 年底每月生产 10 万片晶圆。分析师预计，长江存储去年的全球市场份额接近 5%，已成为世界第六大 NAND 闪存制造商，仅次于三星、SK 海力士、Kioxia、西部数据和美光。当前，长江存储约 40% 的产量是 128 层 3D NAND 闪存，这是迄今为止中国芯片制造商生产的最先进的产品，其余主要为 64 层 3D NAND 闪存。这要落后于三星、SK 海力士和美光等全球领先者。长江存储新工厂最初将主要生产 128 层闪存，如果 2023 年和 2024 年开发进展顺利，可能会转向更尖端的芯片，如 196 层或 232 层 3