弯道超车？三星 3nm 制程有可能先于台积电投产

据台媒《经济日报》5 月 2 日转引外媒披露，三星在对投资人释出的最新简报中透露，旗下 3nm 制程将在未来几周内开始投产，进度比台积电更快，力图弯道超车，正式引爆今年台积电与三星最先进的制程竞争激战。台积电向来不对竞争对手置评。台积电先前于法说会上指出，采用 FinFET 架构的 3nm 依原规画在下半年量产，将是“下个大成长节点”。业界人士分析，三星虽然宣称 3nm 迈入量产倒数计时，但从晶体管密度、效能等层面分析，三星的 3nm 与应与台积电 5nm 家族的 4nm，以及英特尔的 Intel 4 制程相当。据台媒《经济日报》分析，三星以“3nm”为最新制程进度命名，表面上赢了面子，但在晶体管密度、效能等都还是落后台积电，“实际上还是输了里子”。TechSpot 等外媒报导，三星向投资人简报表示，正全力准备让 GAA 架构的 3nm 制程在今年上半年进入投产阶段，也就是在未来八周内启动量产程序，意味 3nm 量产倒数计时。三