南大光电：ArF 光刻胶在多个技术节点同时认证，尚未涉及 14nm 技术节点

图片地址：https://img.ithome.com/newsuploadfiles/2022/1/c7209221-2df0-471e-b414-965e19f17ee5.png

1 月 7 日，南大光电在投资者互动平台表示，目前 ArF 光刻胶在多个技术节点同时认证，尚未涉及 14nm 技术节点。南大光电还表示，目前公司 MO 源和电子特气产品订单处于饱和状态。ArF 光刻胶可以用于 90nm-14nm 技术节点的集成电路制造工艺。公司目前研发的产品包含干式光刻胶和浸没式光刻胶。MO 源方面，公司除了在 MO 源 2.0 研发方面取得进展外，在高纯、低硅低氧三甲基铝方面加大研发力度，也取得了关键性的进展，为 MO 源业务从 LED 向 IC、新能源行业的升级转型奠定基础。前驱体方面，除了有客制产品的研发和产业化外，还要将去年从杜邦集团买入的硅前驱体专利进行研发和产业化，目前进展顺利。电子特气方面，最新升级的超高纯砷烷产品品质在下游客户的测试中已超过目前国际先进同行的技术水平，超高纯磷烷产品进入国际一流制程的芯片企业，标志着公司氢类电子特气已跃居世界前列。混气方面的研发进展也比较好，正在积极应对新能源产业