融资丨「同光晶体」获数亿元D轮融资，联新资本领投

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创业邦获悉，第三代半导体材料SiC（碳化硅）单晶衬底研发、制备以及销售公司「同光晶体」于近期完成数亿元D轮融资。本轮融资由联新资本领投，浩澜资本、北汽产业投资基金、云晖资本、梵宇资本联合投资。本轮融资将主要用于包括晶体生长设备和加工设备采购在内的产能扩充。同光晶体成立于2012年5月，依托于中科院半导体所，是国内率先实现量产第三代半导体材料SiC单晶衬底的高科技企业。公司目前的产品包括4英寸、6英寸高纯半绝缘型以及导电型碳化硅单晶衬底材料。以SiC和GaN为代表的第三代半导体材料，又因其禁带宽度大于2.2 eV而被称为宽禁带半导体。宽禁带的结构决定了第三代半导体材料在高温、高频、高功率的工作环境下将拥有更加优异的性能，同时兼具这些性能特点让第三代半导体材料不仅能在以传统硅基半导体为主导的存量市场会有更出色的表现，同时在一些如新能源汽车、高压快充等新兴起的领域将成为下游应用厂家无可替代的选择。同光晶体的SiC衬底主要应用在功率半导