中科院物理所等构筑出 20 纳秒写入 / 擦除时间超快非易失存储器

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IT之家 5 月 5 日消息 据中国科学院网站，中国科学院院士、中科院物理研究所 / 北京凝聚态物理国家研究中心研究员高鸿钧研究团队博士研究生吴良妹和副研究员鲍丽宏等，利用二维范德瓦尔斯异质结的原子级锐利界面及增强的界面耦合特性，无须修改商用的器件结构，首次构筑了超快、非易失浮栅存储器件，实现了其纳秒级（~20 ns）的读写时间（商用闪存器件为百微秒）、极高的擦除 / 写入比（~1010）和极长的存储时间（10 年以上）。图 1a 和 1b 是器件的结构示意图及光学显微照片，InSe 是沟道、hBN 是隧穿势垒层、MLG 是浮栅、SiO2是控制栅介电层、重掺硅是控制栅。高分辨扫描透射电子显微镜表征显示，InSe/hBN/MLG 异质结具有原子级锐利的界面特性（图 1c-e）。基本的存储特性表征显示浮栅场效应晶体管具有大的存储窗口（图 2）。通过在控制栅上施加一个幅值为 + 17.7/-17.7 V、半峰宽为 160 ns 的脉冲