芯东西 12 月 30 日消息,英特尔在本周的 IEEE 国际电子设备会议上展示了一项新的研究,或为续命摩尔定律提供下一步可行方向。此项研究是英特尔一直热衷的堆叠纳米片晶体管技术,通过将 PMOS 和 NMOS 两种晶体管堆叠起来,可以将 CMOS 电路的面积减少一半,这意味着未来集成电路晶体管密度可能会翻番。01. 用最简单 CMOS 器件做实验,尺寸大小减一半几乎每一台电子设备都离不开 NMOS 和 PMOS 两种晶体管的 “协同合作”。在相同的电压下,两个晶体管只有一个会打开,把它们放在一起意味着只要有其中之一发生改变,电流才会流动,这大大地降低了能耗。几十年以来,NMOS 和 PMOS 晶体管在 CMOS 电路中一直并排放置,如果我们想让 CMOS 电路的尺寸更小,那两个晶体管的位置就应该更加贴近。英特尔选择的方式,就是让它们堆叠起来。▲堆叠的 NMOS 和 PMOS 晶体管(图源:英特尔)有了堆叠晶体管这一巧思,英特尔
续命摩尔定律新进展:英特尔提出晶体管密度翻倍新工艺
2020-12-30 17:58:25来源: IT之家
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