三安集成：第三代HBT面世 加速推进5G时代

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北京2020年10月14日 /美通社/ -- 10月14日，三安集成连续第四次参加电子设计创新大会（EDICON），与通讯行业同仁共同探讨行业热门话题。本次展会，三安集成携最新突破的第三代HBT以及ED-mode pHEMT制程工艺，为客户呈现两场技术交流分享会。 Yishu, Sanan IC, GaAs Technology, 5G 三安集成在砷化镓射频芯片制造工艺领域持续投入，不断提高工艺水平，第三代HBT工艺可以应用于HPUE/APT PA，提供了更高的功率密度以及PAE水平，支持客户在高频段消费类通讯的应用需求。另外，0.1/0.15/0.25um pHEMT工艺均已实现量产，可以为客户提供世界一流的生产能力和性能水平。在展会期间，砷化镓射频事业部的林义书处长就5G应用市场阐述三安集成的服务能力。 Jim, Sanan IC, SAW Filter