国内苏大维格公布最新 3D 直写光刻技术：实现光刻胶 3D 形貌可控制备

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IT之家10月12日消息 近期，国内苏大维格厂商公布了3D直写光刻技术进展，在半导体、光电子、新材料创新方面更进一步。光刻是当前半导体、平板显示、MEMS、光电子等行业的关键工艺环节。光刻技术是指在短波长光照作用下，以光刻胶（光致抗蚀剂、photoresist）为介质，将微纳图形制备到基片上的技术。以半导体工艺为例，半导体器件由多种专用材料经过光刻、离子刻蚀、抛光等复杂微纳加工流程而完成。光刻设备是半导体工艺中最核心的装备，在掩模版制备、芯片制造和封装环节都使用了光刻技术。▲光刻在半导体制程中的作用示意图IT之家获悉，光刻技术类型分为直写光刻和投影光刻两个大类。其中直写光刻是器件中微纳结构源头制备的关键环节，实现将计算机设计数据制备到特定基板上，形成高精度微纳结构的图形布局。直写光刻的概念：直写光刻系统在英文中被称为 Pattern Generator，是微纳图形生成的手段，将计算机设计的 GDSII、DXF 等图形文