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采用双堆栈技术,三星第七代V NAND闪存可达176层

2020-09-10 14:54:08来源: IT之家

根据韩媒报道,三星在下一代闪存芯片的开发中取得重大进展,第七代 V NAND 闪存芯片将达到 176 层,并将于明年 4 月实现量产。这将是业界首个高于 160 层的高级别的 NAND 闪存芯片,三星将因此再次拉开与竞争对手的技术差距,维持自 2002 年以来一直在全球 NAND 闪存市场中排名第一的地位。图片源自 flickr相比于上一代闪存,第七代闪存在堆栈上取得明显的进步。三星的第六代 NAND 闪存是 128 层,于今年 6 月开始量产,而第七代闪存将达到 176 层,尽管并没有达到其最初计划的 192 层,但依然有着明显的进步。据悉,第七代 NAND 闪存采用了 “双堆栈”技术,这是一种可以将通孔分成两部分的,以便电流通过电路的方法。过去的单堆栈只能有一部分通孔,随着堆栈层数的增多,工艺也随之改进。今年 6 月,三星宣布将投资约 9 万亿韩元在位于韩国京畿道平泽工厂的 2 号线建设新的 NAND 闪存芯片生产设施,以扩

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