南亚科技加速布局 AI DRAM，定制内存项目有望 2026 年取得验证

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IT之家 6 月 3 日消息，综合台媒《工商时报》《经济日报》报道，台湾地区内存企业南亚科技正在 AI DRAM 加速布局，力争在三大原厂全力争夺 HBM 市场的环境下从定制领域分得一杯羹。南亚科技总经理李培瑛表示，AI 应用内存的四大关键元素分别是高密度先进 DRAM、3D TSV 硅通孔工艺与多芯片封装、HBM 设计能力、逻辑 Base Die（IT之家注：基础裸晶）。南亚科技目前已完成高密度先进 DRAM 技术部署，正同伙伴补丁科技、福懋科技一道推进 TSV 和封装，HBM 设计和逻辑制程 Base Die 则将以战略性投资与合作形式实现。其定制化 DRAM 项目预计最快可在 2026 年取得验证，2026 年底至 2027 年贡献业绩。对于当前市场环境，由于三大内存原厂减产停产 DDR3、DDR4，南亚科技正承接转单需求。而在市场提前备货的趋势下，南亚科技有望在三季度清理完毕库存，四季度力拼扭亏为盈。