新型锗基光电二极管问世，灵敏度提升 35%

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IT之家 1 月 5 日消息，芬兰阿尔托大学的研究团队在红外传感器领域取得重大突破，成功开发出一种基于锗材料的光电二极管（photodiode），其灵敏度比目前广泛使用的锗基传感器高出 35%。这一进展有望使红外设备在性能、成本和效率方面实现全面提升，同时减少对环境和健康的危害。相关研究成果已发表在《光：科学与应用》（Light: Science & Applications）期刊上。据IT之家了解，光电二极管是一种将光信号转换为电信号的传感器，广泛应用于电视遥控器、空调遥控器、心率监测设备、条形码扫描仪、运动传感器和烟雾探测器等日常设备中。目前，市场上的红外光电二极管传感器主要采用铟镓砷（InGaAs）材料。然而，这种材料不仅成本高昂，还具有毒性和致癌风险，对环境和人体健康构成潜在威胁。此外，InGaAs 材料与互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺不兼容，这极大地增加了最终应用的集成复杂性。为解决这些问题，阿尔托大学的