联电推出首款 RFSOI 3D IC 射频解决方案：减少 45% 芯片面积，有望用于 iPhone 16 系列

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IT之家 5 月 2 日消息，联华电子（UMC）今日宣布推出业界首款 RFSOI 制程技术的 3D IC 解决方案，在 55nm RFSOI 制程平台上使用硅晶元堆叠技术，在不损耗射频性能的前提下，可将芯片尺寸缩小 45% 以上。联电表示，RFSOI 是用于低噪声放大器、开关和天线调谐器等射频芯片的晶圆制程，其 RFSOI 3D IC 解 方案，利用晶圆对晶圆的键合技术，并解决了芯片堆叠时常见的射频干扰问题，将装置中传输和接收资料的关键组件，透过垂直堆叠芯片来减少面积，准备投入量产。联电称未来将持续开发如 5G 毫米波芯片堆叠技术的解决方案。IT之家此前报道，消息称联电斩获威讯的 3D IC 外包订单，为即将推出的 iPhone 16 系列的天线模块生产关键芯片，据悉产量将达到数万片。