IT之家 4 月 25 日消息,韩国科技先进研究院(KAIST)近日发表论文,成功研发新型相变存储器(phase change memory,PCM),可以灵活切换结晶(低电阻)和非晶体(高电阻),从而结合 DRAM 和 NAND 的优点。DRAM 速度快但不稳定,这意味着断电时(例如关闭计算机时)存储在其中的数据就会消失;而 NAND 闪存即使断电也能保留数据,但速度明显慢于 DRAM。图源:IBMPCM 虽然实现了速度和非易失性的“鱼与熊掌兼得”,但制造成本非常昂贵,而且需要大量热量将相变材料熔化成非晶态,因此生产过程非常耗电。由 Shinhyun Choi 教授带领的科研团队设计了新的方法,通过仅收缩直接参与相变过程的组件,创建相变纳米丝(phase-changeable nano filament)。与使用昂贵的光刻工具制造的传统相变存储器相比,这种新颖的方法将耗电量降低至 15 分之一,而且制造成本也低得多。新型相变存
“鱼与熊掌兼得”,新型相变存储器问世:结合 DRAM 和 NAND 优点,生产耗电量降至常规方案的 1/15
2024-04-25 09:43:03来源: IT之家
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