IT之家 2 月 5 日消息,据报道,三星将在即将到来的 2024 年 IEEE 国际固态电路峰会上推出多款尖端内存产品。除了之前公布的 GDDR7 内存(将在高密度内存和接口会议上亮相),这家韩国科技巨头还将发布一款超高速 DDR5 内存芯片。这款大容量 32Gb DDR5 DRAM 采用 12 纳米 (nm) 级工艺技术开发,在相同封装尺寸下提供两倍于 16Gb DDR5 DRAM 的容量。虽然三星没有提供太多关于将在峰会上发布的 DDR5 芯片的信息,但我们知道,这款 DDR5 的 I / O 速度高达每个引脚 8000Mbps,并且采用三星第五代 10nm 级晶圆代工节点的 Symmetric-Mosaic 架构设计,专门针对 DRAM 产品量身定制。IT之家注意到,三星电子内存产品和技术执行副总裁 SangJoon Hwang 在 2023 年底首次宣布新 DDR5 产品时表示:“凭借我们的 12nm 级 32Gb D
消息称三星将发布超高速 32Gb DDR5 内存芯片,容量翻倍且更省电
2024-02-05 06:59:00来源: IT之家
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