突破封锁！长鑫存储发布 GAA 技术相关论文，适用于 3nm 芯片

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IT之家 12 月 15 日消息，DRAM 芯片制造商长鑫存储（CXMT）近日出席在旧金山举办的第 69 届 IEEE 国际电子器件会议（IEDM），发表了一篇论文，展示了环绕式闸极结构（Gate-All-Around，GAA）技术，适用于尖端 3nm 芯片。IT之家注：专利中提及 GAA 技术适用于包括 5nm、7nm、10nm 和 14nm 在内的 3nm 以下芯片，但这并不代表着长鑫存储当前具备制造 3nm 的能力。根据《南华早报》报道，长鑫存储虽然没有发布相关的样品，但本次论文的发布，引发了行业分析师对该公司下一代内存的广泛关注，表明长鑫在面对美国封锁下，不断加强自主芯片开发能力。华邦电子的储存芯片专家 Frederick Chen 表示，长鑫存储的进展令人印象深刻，因为代表这家公司不断追赶，缩小在技术方面的差距。长鑫存储发表声明称，该论文描述了与 DRAM 结构和 4F2 设计可行性相关的基础研究，与长鑫存储当前的生产