中国工程院院士：我国半导体产业还相对比较落后，稍不小心就会拉大差距

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5 月 29 日消息，在北京（国际）第三代半导体创新发展论坛上，中国工程院院士、国家新材料产业发展专家咨询委员会主任干勇谈到，总体而言我国半导体产业还相对比较落后，尽管我们已经具有能力设计高端半导体芯片，但是整体技术差距还很大，而且近来由于国外发达国家的半导体布局，如果稍不小心，我们很可能继续拉大这一差距。图源 Pexels干勇指出，近年世界主要经济体不断加大在半导体领域的投入，国际半导体产业发展趋势竞争将会越来越激烈。比如，美国在 5 月 22 号宣布在加州投入 40 亿美元，建立一个大的半导体中心，成为世界最大的半导体基地；5 月 20 号英国政府也宣布，将每年投入一亿英镑，十年之内集中研究开发设计知识产权尖端的复合半导体。干勇强调，随着硅半导体材料主导的摩尔定律逐渐走向极限，同时硅也满足不了微波射频、高效功率电子和光电子等新需求快速发展的需要，第三代半导体新材料快速崛起。此外，基于第三代半导体材料和器件将引领高端电力装备的