据台湾《经济日报》报道,三星已支出约2000亿韩元,准备开始生产碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)半导体,用于电源管理IC,而且计划采用8英寸晶圆来生产这类芯片,跳过多数功率半导体业者着手的入门级6英寸晶圆。上述的支出金额显示三星可能已经生产这类第三代半导体的原型。(界面)
三星砸2000亿韩元攻第三代半导体,从8英寸晶圆切入
2023-03-31 16:25:38来源: 36氪
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