【TechWeb】2月3日消息,东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布推出采用新型L-TOGL™(大型晶体管轮廓鸥翼式引脚)封装的车载40V N沟道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。这两款MOSFET具有高额定漏极电流和低导通电阻。近年来,随着社会对电动汽车需求的增长,产业对能满足车载设备更大功耗的元器件的需求也在增加。这两款新品采用了东芝的新型L-TOGL™封装,支持大电流、低导通电阻和高散热。上述产品未采用内部接线柱结构,通过引入一个铜夹片将源极连接件和外部引脚一体化。源极引脚采用多针结构,与现有的TO-220SM(W)封装相比,封装电阻下降大约30%,从而将XPQR3004PB的漏极额定电流(DC)提高到400A,高出当前产品1.6倍。厚铜框的使用使XPQR3004PB内的沟道到外壳热阻降低到当前产品的50%。这些特性有利于实现更大的电流,并降低车载设备的损耗。凭借新型封装技
东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET
2023-02-03 10:12:07来源: TechWeb
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