英特尔 3D 封装技术密度再提升 10 倍，目标 2030 年打造出万亿晶体管芯片

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IT之家 12 月 5 日消息，在近日的 IEDM 2022（2022 IEEE 国际电子器件会议）上，英特尔发布了多项突破性研究成果，以在未来十年内持续推进摩尔定律，最终实现在单个封装中集成一万亿个晶体管。据介绍，英特尔的研究人员展示了以下研究成果：3D 封装技术的新进展，可将密度再提升 10 倍；超越 RibbonFET，用于 2D 晶体管微缩的新材料，包括仅三个原子厚的超薄材料；能效和存储的新可能，以实现更高性能的计算；量子计算的新进展。英特尔通过下一代 3D 封装技术实现准单片芯片：与 IEDM 2021 上公布的成果相比，英特尔在 IEDM 2022 上展示的最新混合键合研究将功率密度和性能又提升了 10 倍。 通过混合键合技术将互连间距继续微缩到 3 微米，英特尔实现了与单片式系统级芯片（system-on-chip）连接相似的互连密度和带宽。英特尔探索通过超薄“2D”材料，在单个芯片上集成更多晶体管：英特