华为 EUV 光刻新专利公开，解决相干光无法匀光问题

IT之家 11 月 19 日消息，在半导体行业，极紫外光刻技术 (Extreme Ultraviolet，EUV) 对于未来光刻技术乃至于先进制程有着重要意义。为了追求更先进的芯片和更优的能效，我们一直走在制程微缩的道路上，但光刻设备的分辨率决定了 IC 的最小线宽，越发精细的芯片就越需要缩短晶体管内部导电沟道的长度。因此，光刻机的升级就势必与分辨率水平相关联。光刻机演进过程是随着光源改进和工艺创新而不断发展的。EUV 作为 7nm 及更先进制程芯片的基础，采用了更加成熟化的极紫外光源，同时还采用了立体化的全数控光刻技术，这让光刻工艺走上了一个新的高度，于是光刻行业进入了以 EUV 光刻机为主的极紫外光时代。随着先进制程的进一步推进，全球半导体制造龙头台积电、三星、英特尔纷纷扩大 EUV 光刻机资本开支，积极扩充 7nm 以下先进产能。与此同时，各大芯片设计公司，例如大家熟知的高通、英伟达、博通、联发科、AMD、苹果、海思等，都