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SK海力士成功研发全球最高层238层4D NAND闪存

2022-08-03 05:30:00来源: 美通社

新闻概要 公司全球首发238层 512Gb TLC 4D NAND闪存,将于明年上半年投入量产 成功研发层数最高,面积最小的NAND闪存,并显著改善生产效率、数据传输速度、功耗等特性 "公司将持续创新并不断突破技术瓶颈" 韩国首尔2022年8月3日 /美通社/ -- SK海力士(或‘公司',www.skhynix.com)于8月3日宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存。 图1. SK海力士成功研发全球最高层238层4D NAND闪存 近日,SK海力士向客户发送了238层 512Gb TLC(Triple Level Cell)* 4D NAND闪存的样品,并计划在2023年上半年正式投入量产。公司表示:"自2020年12月完成176层NAND闪存研发以来,时隔仅1年7个月,SK海力士全球首次成功完成了新一代技术的研发。此次238层NAN