近日,中科院微电子研究所在非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)晶体管领域取得重要进展。据悉,a-IGZO 被视为实现高密度三维集成的最佳候选沟道材料之一。三维集成技术的本质是为提高晶体管在芯片上的集成密度。因此,对于兼容后道工艺的 a-IGZO 晶体管来说,探索其尺寸的极限微缩是实现高密度三维集成的关键。▲ 器件结构示意图及 TEM 表征图,图源: 中科院微电子研究所针对上述问题,微电子所重点实验室科研人员通过采用宏观电学测试和微观表征技术相结合的方法,研究了尺寸微缩时 a-IGZO 晶体管基本特性的变化规律,通过微缩栅介质等效氧化层厚度和半导体厚度来提高器件的栅控能力,进一步优化金属半导体接触,降低了器件的接触电阻,并使用栅控能力更强的双栅互联结构与操作模式,实现了性能优异的双栅 a-IGZO 短沟道晶体管。此外,基于该成果的文章入选 2022 VLSI,同时入选 demon session 文章。
中科院微电子研究所在 a-IGZO 晶体管领域取得重要进展,有助提升芯片集成密度
2022-07-14 19:22:48来源: IT之家
关注公众号
赞
你的鼓励是对作者的最大支持
- TCL 科技:上半年预计营收 840 亿 - 855 亿元,同比增长 13% - 15%2022-07-14 19:31:58
- 建议零售价 1030 元的英特尔锐炫 A380 显卡发布一个月,仍未正式零售2022-07-14 19:49:40
- 京东集团:完成强制性收购中国物流资产2022-07-14 19:55:49
- 掌机首发 R7 6800U,AOKZOE A1 本月国内预售2022-07-14 20:02:54
- 三星 Galaxy M13 5G 手机发布:搭载天玑 700 芯片,5000 万像素相机,约 1176 元起2022-07-14 20:23:15
- 红杉中国减持美团:系基金正常退出 刚募集90亿美元基金2022-07-14 20:36:46
- 网约车聚合平台存监管空白,如何填补?2022-07-14 20:36:46
- 每日优鲜还是前置仓吗?2022-07-14 20:36:46
- Quantinuum扩大与JSR的合作2022-07-14 16:08:00
- 悉尼大学:你的大脑比你更擅长识破"人造脸"2022-07-14 16:32:00