分析师：DRAM 内存、3D NAND 闪存布局百家争鸣，长鑫、长江存储进展迅速

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7 月 5 日，知名半导体分析机构 TechInsights 举办了线上“存储半导体进展与融合挑战：DRAM 和 NAND”（Memory Process and Integration Challenges: DRAM & NAND）研讨会。在存储芯片领域有着 30 多年从业经历的高级技术分析师 Jeongdong Choe 博士在会上分享了 DRAM 和 NAND 前沿技术的发展以及未来可能遭遇的挑战。日前，三星在 128 层单堆栈产品的容量上（从 256Gb 到 256Gb）不断实现突破。对此，Jeongdong Choe 在研讨会上表示，目前全球主要玩家在 3D NAND 设计上都有不同程度的创新，比如三星的 COP 架构，SK 海力士的 PUC 架构，美光的 CuA 架构等等。三星 128 层单堆栈 3D NAND 的核心竞争力在于单堆栈，不同于英特尔等竞争对手的多 deck 集成，可以在深宽比（high as