【TechWeb】5月1日消息,据国外媒体报道,在7nm和5nm制程工艺的量产时间上基本能跟上台积电节奏的三星电子,在更先进的3nm制程工艺上有望先于台积电量产,有报道称他们正推进在二季度量产。 外媒的报道显示,三星电子方面已经宣布,他们早期3nm级栅极全能(3GAE)工艺将在二季度量产。三星电子宣布的这一消息,也就意味着业界首个3nm制程工艺即将量产,将是首个采用全环绕栅极晶体管(GAA)的制程工艺。 三星电子的芯片代工业务部门,在他们的设备解决方案这一部门之下,这一部门囊括了三星电子的存储芯片等半导体业务。 而在上周四发布的一季度财报中,三星电子给出的设备解决方案二季度展望中,也曾提到3nm制程工艺。 三星电子在二季度的展望中提到,他们的技术领先将通过首个大规模量产的全环绕栅极晶体管3nm工艺进一步加强,他们也将扩大供应,确保获得全球客户新的订单,包括美国和欧洲客户的订单。 三星电子和台积电是目前在推进3nm工艺量产的两大
三星正推进3nm工艺二季度量产 若实现将先于台积电量产
2022-05-01 12:34:43来源: TechWeb
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