2021 年度中国半导体十大研究进展发布，北大、浙大、复旦等多所高校成果入选

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1 月 26 日，《半导体学报》发布了 2021 年度中国半导体十大研究进展。1、黑砷半导体的 Rashba 能谷调控与量子霍尔效应浙江大学许祝安、郑毅团队与中南大学夏庆林合作，首次在直接带隙半导体黑砷的二维电子态中发现了外电场连续、可逆调控的强自旋轨道耦合效应，并报道了全新的自旋-能谷耦合的 Rashba 物理现象及其反常的量子化行为，为高效率、低能耗自旋电子器件研制和拓扑量子计算的研究提供了新的思路。该成果发表于《自然》杂志（Nature, 2021, 593: 56–60）。2、二维半导体单晶晶圆的可控制备北京大学物理学院叶堉研究员课题组提出了一种人工育种，利用相变和重结晶过程制备晶圆尺寸单晶半导体相碲化钼（MoTe2）薄膜的新方法。该二维平面内外延技术，无需以衬底为模板，可以直接在器件基底上实现二维半导体单晶晶圆的可控制备，为二维半导体材料的层间互连提供材料基础。该成果发表于《科学》杂志（Science, 2021, 3