三星电子欲开发全球首个 3D DRAM，有望 2025 年问世

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IT之家 1 月 19 日消息，据 BusinessKorea 报道，三星电子正在加快 3D DRAM 的研究和开发，这家半导体巨头已经开始加强相关团队建设，比如招聘人员。过去，DRAM 是通过将晶体管和电容器排在一个平面上生产的。然而，随着 20 世纪 80 年代末 DRAM 容量超过 4 兆，提高 DRAM 的密度变得困难，使得重新排列电路和电容成为必然。当时，DRAM 行业分为“沟槽组”和“堆栈组”，前者选择将电路和储存器放在平面下，后者选择将它们堆积在平面上。日本的东芝和 NEC 以及美国的 IBM 更倾向于沟槽法，而三星电子则选择堆叠法。当时，三星电子采用堆叠法是因为这是一种更容易制造 DRAM 和检查生产过程中问题的方法。因此，三星电子可以建立一个半导体帝国，并在大约 30 年的时间里一直保持其在 DRAM 市场上的第一地位。在堆叠法变得普遍之后，芯片制造商通过缩小单元尺寸或间距来提高 DRAM 的性能。然而，在有限