三星存内计算技术公布：全球首搭 MRAM，铺路下一代 AI 芯片

图片地址：https://img.ithome.com/newsuploadfiles/2022/1/f41d17bc-4689-44ed-a2c4-b7eaf42ec509.png

1 月 17 日报道，近日，三星电子在顶级学术期刊 Nature 上发表了全球首个基于 MRAM（磁性随机存储器）的存内计算研究。存内计算由于毋需数据在存储器和处理器间移动，大大降低了 AI 计算的功耗，被视作边缘 AI 计算的一项前沿研究。虽然 MRAM 存储器件具备耐用性、可大规模量产等优势，但其小电阻的特性阻碍了这类存储器被用于存内计算。本次，三星电子的研究团队通过构建新的 MRAM 阵列结构，用基于 28nm CMOS 工艺的 MRAM 阵列芯片运行了手写数字识别和人脸检测等 AI 算法，准确率分别为 98% 和 93%。研究扩展存内计算类型，填补 MRAM 空白在传统的计算机架构中，数据需要从内存移动到处理单元，然后将中间结果存储回内存。但这种无谓的信息传输不仅增加了计算延迟，也提升了相关功耗。根据台积电此前对存内计算的研究，数据移动所消耗的能量甚至大于计算的能量消耗。因此，在内存中同时执行数据存储和计算的存内计算成为