英国研究者介绍 UltraRAM 技术新突破：可整合内存与闪存，耐久性极高

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IT之家 1 月 12 日消息，根据外媒 techspot 报道，本月早些时候，英国兰开斯特大学物理与工程系的研究人员发表了一篇论文，详细介绍了 UltraRAM“超高效存储”技术近期取得的重要进展。这项技术的目标是将非易失闪存 NAND、易失性内存 RAM 结合在一起，兼顾能效，具有极高的耐用性。此前，英特尔 Optane 傲腾已经做出了先行尝试，量产了傲腾内存产品，但是仍不足以完全替代 RAM。与此同时，三星也有 Z-NAND 技术，铠侠和西部数据也希望将 XL-FLASH 存储应用到消费级或企业级存储产品中。具体来看，UltraRAM 芯片的制造工艺，与 LED、激光器、光电晶体管等半导体元件相似。从结构上看，这种存储技术采用硅衬底，相比砷化镓成本大幅降低。芯片具有复杂的多层结构，中央的结构还使用了氧化铝进行隔离。科学家表示，UltraRAM 的制造成本比较低，其拥有很高的性价比。目前已经制造出的测试用原型，可以保证数据能