后纳米级晶体管时代来临？一场“用尽元素周期表”的战争

图片地址：https://img.ithome.com/newsuploadfiles/2021/12/b1b9d3f9-7706-49e4-89bc-3b11bc2fd42e.jpg

芯东西 12 月 24 日报道，随着芯片制程演进愈加艰难，晶体管微缩正面临物理极限的天花板。但英特尔、东京电子等芯片供应链巨头已将制程路线图推进到埃米一级（1 Å=0.1nm=10^-10 m），甚至计划在原子级别上构建新的晶体管。今年以来，台积电、英特尔、三星等半导体巨头都在晶体管结构和二维半导体材料领域发布了重量级的研究成果，谁也不肯落后对手一步。台积电在 5 月份刚刚发布用半金属铋解决二维半导体材料高电阻问题的研究，英特尔就在刚刚结束的 IEEE 国际电子器件会议（International Electron Devices Meeting，IEDM）上发布了基于另外两种半金属的二维半导体材料研究。此外，英特尔、三星和 IBM 也在 IEDM 这一顶级半导体、电子论坛上发表了新的晶体管研究进展。随着芯片制程的不断演进，谁能先对手一步实现晶体管微缩，谁就能掌握未来芯片乃至科技领域的话语权，这场竞争甚至可能决定谁是未来十年的芯