索尼：全球首发双层晶体管像素堆叠式 CMOS 图像传感器技术，扩大动态范围并降低噪点

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IT之家 12 月 16 日消息，今天，索尼半导体解决方案宣布其已成功开发出全球首个双层晶体管像素堆叠式 CMOS 图像传感器技术，饱和信号量约提升至 2 倍，使动态范围扩大并降低噪点。传统 CMOS 图像传感器的光电二极管和像素晶体管分布在同一基片，而索尼的新技术将光电二极管和像素晶体管分离在不同的基片层。与传统图像传感器相比，这一全新的结构使饱和信号量约提升至原来的 2 倍，扩大了动态范围并降低噪点，从而显著提高成像性能。采用新技术的像素结构，无论是在当前还是更小的像素尺寸下，都能保持或是提升像素现有的特性。（传统的）堆叠式 CMOS 图像传感器的堆叠式结构中，背照式像素组成的像素芯片堆叠在逻辑芯片之上，而信号处理电路构成了逻辑芯片。在像素芯片内，用于将光转换为电信号的光电二极管和用于控制信号的像素晶体管在同一基片层并列。在这样的结构限制下，如何实现饱和信号量的最大化，对实现高动态范围、高图像质量的摄影具有重要作用。索尼开发