解读英特尔芯片制造技术突破：互连密度增 10 倍以上，新工艺将逻辑微缩提升超 30%

图片地址：https://img.ithome.com/newsuploadfiles/2021/12/daf3b425-a312-4c4e-8e32-5b04144c7558.jpg

12 月 14 日报道，今天，英特尔制造、供应链和营运集团副总裁兼战略规划部联席总经理卢东晖向芯东西等媒体详细解读了英特尔在今年 IEEE 国际电子器件会议（IEDM）上发布的 8 篇论文。这是英特尔首次在这一学术会议上发布如此数量的论文，据卢东晖分享，本次英特尔发布的很多新研究特点是基于当前的芯片制造工艺，之后有应用于现有的产线的可能，对英特尔 IDM 2.0 战略有着重要意义。本次在 IEDM 会议上发表论文的是英特尔组件研究部门，这是英特尔专注于前沿研发的部门，被称作“英特尔技术研发部门中的研究团队”，其发表的论文主要集中在晶体管微缩技术、在功率器件和内存方面基于新材料的研究和量子计算器件 3 个领域。▲ 英特尔在 IEDM 2021 上的研究突破一、新互连技术提升 10 倍密度，3D CMOS 堆叠降低 50% 芯片面积对于先进制程的演进，卢东晖将其比作爬山，人们知道山顶在哪里，但是不清楚路在哪里，也不确定自己到底能否登