IT之家 8 月 23 日消息 AMD 3D 堆栈缓存版 Zen3 的更多技术细节现已公布,官方称可以带来 15% 的游戏性能提升。在 Hot Chips 33 演示中,AMD 概述了 3D 堆栈技术的未来,例如,AMD 表示他们选择了 9 微米的微凸点 (μbump) 间距,这比未来 10 微米的英特尔 Foveros Direct 技术要密集一些。AMD 展示了现有和未来的 3D 堆叠技术。随着垂直晶圆间或芯片间连接的 TSV (Through Silicon Via) 键合量的增加,该技术将专注于更复杂的 3D 堆叠设计。据称,堆叠可允许进行全模对模堆叠,带来 CPU 上有 DRAM 或 CPU 上有 CPU 的效果。该技术的发展方向是:将独立的模块放在各自的模块上,就像核心 + 核心一样。“最终,TSV 的间距将变得更加密集,以至于模块拆分、折叠甚至电路拆分都成为可能,这将彻底改变我们今天所知道的处理
AMD 3D 堆栈缓存版 Zen3 细节展示,可带来 15% 的游戏性能提升
2021-08-23 12:08:13来源: IT之家
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