台积电寻求加倍投资美国芯片工厂，欧洲建厂谈判受挫

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5 月 14 日消息，据知情人士透露，台积电正考虑向美国亚利桑那州尖端芯片工厂追加投资，数额比此前披露的多出近一倍。不过，台积电在欧洲建设先进工厂的谈判未能取得预期进展。台积电是世界上工艺最先进的芯片制造商，在全球芯片短缺以及美国和欧洲为半导体生产出台补贴等新举措之际，台积电的投资计划受到密切关注。台积电去年宣布将投资 100 亿到 120 亿美元在凤凰城建芯片厂。此前有报道称，台积电计划最多建设六家工厂，凤凰城的工厂只是第一个。该公司高管现在正在讨论，与第一家工厂使用的速度较慢、效率较低的 5 纳米技术相比，下一家工厂是否应该使用更先进工艺，用所谓的 3 纳米技术制造芯片。知情人士表示，更先进的 3 纳米工厂可能耗资 230 亿至 250 亿美元。台积电在亚利桑那州建设工厂的细节此前没有被报道过，但该公司高管正在制定 2 纳米及更先进工艺的研发计划，因为凤凰城工厂需要 10 到 15 年才能完全建成。在建设工厂方面，台积电可能