赛微电子拟投资 10 亿元建设 6-8 英寸硅基氮化镓功率器件

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4 月 3 日消息，近日北京赛微电子股份有限公司发布了关于与青州市人民政府签署《合作协议》的公告。公告中显示赛微电子拟在青州经济开发区发起投资 10 亿元分期建设聚能国际 6-8 英寸硅基氮化镓功率器件半导体制造项目，总占地面积 30 亩，一期建成投产后将形成 6-8 英寸 GaN 芯片晶圆 5000 片 / 月的生产能力，二期建成投产后将形成 6-8 英寸 GaN 芯片晶圆 12000 片 / 月的生产能力，将为全球 GaN 产品客户的旺盛需求提供成熟的技术支持和产能保障。据了解，GaN（氮化镓）属于第三代半导体材料，第三代半导体材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、金刚石等，因其禁带宽度（Eg）大于或等于 2.3 电子伏特（eV），又被成为宽禁带半导体材料，与第一、二代相比，第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子速率等优点，可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。公