台积电 3nm 进度超前背后：关键突破性技术揭秘

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在 2021 年国际固态电路会议（ISSCC）的开幕演讲中，台积电董事长刘德音以《揭秘创新未来》为主题，谈及许多引领芯片发展的创新技术。半导体创新是驱动现代科技进步的关键。刘德音认为，半导体制程微缩脚步并未减缓，集成电路的晶体管密度、性能和功耗仍在持续进步，理想情况下，硬件创新应像编写软件代码一样容易。刘德音不仅透露了台积电先进 3nm 工艺的研发进度提前，而且讨论了包括 EUV、新晶体管、新材料、芯片封装、小芯片、系统架构等一系列通向未来的突破性半导体技术。在这些技术驱动下，芯片工艺节点路线图能保持每两年大约 2 倍的能效性能提升。芯东西对此次演讲的重点信息进行系统梳理，全文如下：一、7nm：半导体史上的重要分水岭刘德音在演讲中说，从 2018 年开始量产的 7nm 逻辑技术是半导体史上的一个分水岭，标志着当时世界上最先进的半导体技术首次被所有半导体公司广泛使用。这一分水岭时刻带来了跨广泛应用领域的变革产品，包括 5G 芯片、