台北2021年1月6日 /美通社/ -- 随5G、物联网、电动车蓬勃发展,对于低功耗要求越来越高,功率半导体成为这些产业势不可挡的必备组件。宜特(TWSE: 3289)晶圆后端工艺厂的晶圆减薄能力也随之精进。宜特今(1/6)宣布,晶圆后端工艺厂(竹科二厂),通过客户肯定,成功开发晶圆减薄达1.5mil(38um)技术,技术门坎大突破。同时,为更专注服务国际客户,即日起成立宜锦股份有限公司(Prosperity Power Technology Inc)。 使用控片测得2mil、1.5 mil、1.5 mil优化条件后的损坏层厚度及TEM分析 宜特指出,功率半导体进行“减薄”,一直都是改善工艺,使得功率组件实现“低功耗、低输入阻抗”最直接有效的方式。晶圆减薄除了有效减少后续封装材料体积外,还可因降低RDS(on)(导通阻抗)进而减少热能累积效应,以增加芯片的使用寿命。 但如何在减薄工艺中降低晶圆厚度,又
宜特晶圆减薄能力达1.5mil
2021-01-06 21:00:00来源: 美通社
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