英特尔 18A-P 工艺前瞻：相比 18A 同等功耗下性能提升 9%

IT之家 5 月 1 日消息，科技媒体 Wccftech 昨日（4 月 30 日）发布博文，报道称英特尔为吸引外部代工客户，开始推广 18A-P 制程技术。相比较 18A 工艺，18A-P 在同等功耗下性能提升 9%，或在同等性能下功耗降低 18%。英特尔目前正在完善 18A-P 制程技术，并计划在 6 月召开的 VLSI 大会上公布更多细节。基于目前披露的信息，作为 18A 的增强版，18A-P 基于 RibbonFET（环绕栅极晶体管）和 PowerVia（背面供电）技术，在同等功耗下性能提升约 9%，或在同等性能下功耗降低约 18%。设计规格上，18A-P 的接触栅极间距与库高度与 18A 一致，但晶体管选项大幅扩展。新增低功耗及高性能器件，逻辑阈值电压对从 18A 的 4 对增至 5 对以上，并在超低阈值电压与低阈值电压间新增选项。18A-P 的 Skew Corners（时序偏差角）收紧 30%，显著减少节点内的性能差  阅读原文